IXYS 碳化硅MOSFET

结果: 29
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
IXYS 碳化硅MOSFET TO268 1.2KV 90A SIC POWER
数据表
无库存交货期 92 周
最低： 30
倍数： 30

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 90 A 34 mOhms - 20 V, + 20 V 2 V - 40 C + 150 C
IXYS 碳化硅MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
数据表

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TOLL
数据表

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
数据表

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement