Littelfuse 碳化硅MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Littelfuse 碳化硅MOSFET SiC MOSFET phase leg in SMPD-B
数据表
20预期 2026/11/4
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT SMPD-B 1.2 kV 19.5 A 160 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C
Littelfuse 碳化硅MOSFET SiC MOSFET phase leg in SMPD-B
数据表

SMD/SMT SMPD-B 1.2 kV 100 uA 160 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C