SemiQ 碳化硅MOSFET

结果: 12
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
SemiQ 碳化硅MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET 30库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET 25库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET 6库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 124库存量
30在途量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 140 A 52 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 108 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 122库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 100 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L 90库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 18库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L 13库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L 2库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET 49库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 58 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 83 A 36 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 233 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 350 A 23 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 260 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement