4829 碳化硅MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 380库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 83 nC - 55 C + 150 C 375 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 2,813库存量
357在途量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 83 nC - 55 C + 150 C 375 W Enhancement