MXPQ120A045SE-1GE3

Vishay Semiconductors
78-MXPQ120A045S-1GE3
MXPQ120A045SE-1GE3

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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Vishay
产品种类: 碳化硅MOSFET
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SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
52 A
56 mOhms
- 10 V, 22 V
2.8 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
268 W
Enhancement
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 10 ns
产品: SiC MOSFET
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
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数据表

MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET

Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET具有1200V漏极-源极电压、快速切换速度和3μs短路耐受时间。此系列MOSFET还具有56W至268W的最大功率耗散 (Tc=25°C) 和10.5A至52A的漏极连续电流 (Tc=25°C)。MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET无卤素，采用TO-247 3L、TO-247 4L和TO-263 7L封装。此系列MOSFET用于充电器、辅助电机驱动器和直流-直流转换器。

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