CDMS247 系列 碳化硅MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Central Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
数据表
27库存量
30在途量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Central Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
数据表
30库存量
30在途量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 37 A 20 V 2.6 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion