ISSI IS34MW01G164 系列 NAND闪存

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 系列 存储容量 接口类型 组织 定时类型 数据总线宽度 电源电压-最小 电源电压-最大 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 封装
ISSI NAND闪存 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT 1库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 200

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT, T&R 无库存交货期 36 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 64 M x 16 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND闪存 1G 1.8V x16 4-bit NAND闪存 无库存交货期 36 周
最低: 1
倍数: 1
最大: 200

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 64 M x 16 Asynchronous 16 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1Gbit (x16, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT, T&R 无库存交货期 36 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 64 M x 16 Asynchronous 16 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel