BFP 620F H7764

Infineon Technologies
726-BFP620FH7764
BFP 620F H7764

制造商:

说明:
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
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库存量: 11,370

库存:
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单价:
¥-.--
总价:
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数量 单价
总价
¥4.7121 ¥4.71
¥2.9493 ¥29.49
¥2.3956 ¥239.56
¥2.2826 ¥1,141.30
¥2.1922 ¥2,192.20
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥2.0792 ¥6,237.60

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS:  
BFP620
Bipolar
SiGe
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: DE
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: SP000745304 BFP62FH7764XT BFP620FH7764XTSA1
单位重量: 1.870 mg
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

英飞凌射频晶体管

英飞凌射频晶体管配有低噪声放大器和高线性晶体管。低噪声类别的器件采用的是硅双极技术。达 fT <20 GHz 的中等转变频率实现了易用性和稳定性。击穿电压可以安全支持 5V 的电源电压。这些晶体管适用于对高达 14 GHz 的 VHF/UHF 进行调幅(AM) 。

高线性晶体管提供 29 dBm 以上的 OIP3 (三阶交截点)。它们基于英飞凌出品的大容量硅双极和 SiGe:C 技术,实现了同类最佳的噪声系数。这些器件适用于驱动器、前置放大器和缓冲放大器。