Analog Devices Inc. ADMV1530双平衡混频器
Analog Devices ADMV1530双平衡混频器可在5GHz至30GHz之间作为上变频器或下变频器。该款通用型双平衡混频器采用无引线、符合RoHS指令的表面贴装技术 (SMT) 封装。
该混频器在中频 (IF) 端口上具有0GHz至10GHz的宽带宽范围，可灵活地进行频率规划，避免仿制品。
Analog Devices ADMV1530混频器采用砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 工艺制造，无需外部元件或匹配电路。得益于优化的平衡－不平衡转换器结构，ADMV1530可提供出色的本地振荡器 (LO) 至射频 (RF) 和本地振荡器 (LO) 至中频 (IF) 抑制。该混频器的典型LO振幅为19dBm。ADMV1530符合RoHS指令，无需引线键合，支持表面贴装制造技术。
ADMV1530采用紧凑型4mm × 4mm、18端子焊盘栅格阵列 (LGA) 封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。
特性
- 转换损耗：7dB（典型值，15GHz至30GHz时）（下变频器）
- 输入IP3：27dBm（典型值，15GHz至30GHz时）（下变频器）
- 输入IP2：50dBm（典型值，15GHz至30GHz时）（上变频器）
- 输入1dB压缩点：17dBm，典型值（下变频器）
- LO至射频隔离：40dB（典型值）
- LO至IF隔离：50dB，典型值（15GHz至30GHz时）
- RF至IF隔离：25dB，典型值（15GHz至30GHz时）
- 符合18端子标准、符合RoHS指令的4mmx4mm LGA封装
应用
- 微波和甚小孔径终端（VSAT）无线电
- 测试设备
- 军事电子战 (EW)
- 电子对抗 (ECM)
- 指挥、控制、通信和情报 (C3I)
框图
接口原理图
发布日期: 2025-01-14
| 更新日期: 2025-03-09