ADuM3223栅极驱动器采用窄体SOIC封装提供3kVrms隔离,而ADuM4223栅极驱动器则采用宽体SOIC封装提供5kVrms加强型隔离。该器件采用3.3V至5.5V输入电源供电,峰值输出电流为4A。3.3V至5.5V输入电压电源范围使该器件能够与较低电压系统兼容。ADuM3223/ADuM4223隔离式半桥栅极驱动器的传播延迟小于55ns,延迟小于5ns,使该器件比基于光耦合器技术的器件快达四倍。
特性
- 峰值输出电流:4A
- 相对于输入的高侧或低侧:537VPEAK
- 高侧到低侧差分:800VPEAK
- 高频工作:1MHz(最大值)
- 3.3V至5V CMOS输入逻辑
- 4.5V至18V输出驱动
- UVLO (2.5V VDD1)
- ADuM3223A/ADuM4223A UVLO (4.1V VDD2)
- ADuM3223B/ADuM4223B UVLO (7.0V VDD2)
- ADuM3223C/ADuM4223C UVLO (11.0V VDD2)
- 54ns(最大值)的隔离器和驱动器传播延迟
- 5ns的最大通道至通道匹配
- CMOS输入逻辑电平
- 高共模瞬态抑制:25kV/μs
- 增强型系统级ESD保护性能,符合IEC 61000-4-x标准
- 高结温运行:125°C
- 热关断保护默认低输出
- 符合汽车应用要求
- UL认证:符合UL 1577
- SOIC长封装为3000Vrms,持续1分钟 (ADuM3223)
- SOIC长封装为5000Vrms,持续1分钟 (ADuM4223)
- CSA元件认可通知5A
- VDE符合性证书
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12
- VIORM = 560VPEAK (ADuM3223)
- VIORM = 849VPEAK (ADuM4223)
应用
- 开关电源
- 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动
- 工业逆变器
- 汽车
功能框图
视频
Additional Resources
Coupler Technology Benefits Gallium Nitride (GaN) Transistors in AC/DC Designs
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Maximum Power Limit for Withstanding Insulation Capabilities of Modern IGBT/MOSFET Gate Drivers
发布日期: 2018-02-13
| 更新日期: 2025-01-28

