Analog Devices Inc. ADuM3223/ADuM4223隔离式半桥驱动器

Analog Devices ADuM3223/ADuM4223精密隔离式半桥栅极驱动器设计用于提高性能以及满足开关电源、太阳能逆变器和电机控制系统等应用的安全要求 借助ADuM3223/ADuM4223精密隔离式半桥栅极驱动器,设计人员可以在各种正或负开关电压范围内可靠地控制IGBT/MOSFET配置的开关特性。

ADuM3223栅极驱动器采用窄体SOIC封装提供3kVrms隔离,而ADuM4223栅极驱动器则采用宽体SOIC封装提供5kVrms加强型隔离。该器件采用3.3V至5.5V输入电源供电,峰值输出电流为4A。3.3V至5.5V输入电压电源范围使该器件能够与较低电压系统兼容。ADuM3223/ADuM4223隔离式半桥栅极驱动器的传播延迟小于55ns,延迟小于5ns,使该器件比基于光耦合器技术的器件快达四倍。

特性

  • 峰值输出电流:4A
  • 相对于输入的高侧或低侧:537VPEAK
  • 高侧到低侧差分:800VPEAK
  • 高频工作:1MHz(最大值)
  • 3.3V至5V CMOS输入逻辑
  • 4.5V至18V输出驱动
  • UVLO (2.5V VDD1)
  • ADuM3223A/ADuM4223A UVLO (4.1V VDD2)
  • ADuM3223B/ADuM4223B UVLO (7.0V VDD2)
  • ADuM3223C/ADuM4223C UVLO (11.0V VDD2)
  • 54ns(最大值)的隔离器和驱动器传播延迟
  • 5ns的最大通道至通道匹配
  • CMOS输入逻辑电平
  • 高共模瞬态抑制:25kV/μs
  • 增强型系统级ESD保护性能,符合IEC 61000-4-x标准
  • 高结温运行:125°C
  • 热关断保护默认低输出
  • 符合汽车应用要求
  • UL认证:符合UL 1577
  • SOIC长封装为3000Vrms,持续1分钟 (ADuM3223)
  • SOIC长封装为5000Vrms,持续1分钟 (ADuM4223)
  • CSA元件认可通知5A
  • VDE符合性证书
  • DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12
  • VIORM = 560VPEAK (ADuM3223)
  • VIORM = 849VPEAK (ADuM4223)

应用

  • 开关电源
  • 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动
  • 工业逆变器
  • 汽车

功能框图

框图 - Analog Devices Inc. ADuM3223/ADuM4223隔离式半桥驱动器

视频

Additional Resources

Coupler Technology Benefits Gallium Nitride (GaN) Transistors in AC/DC Designs

GaN transistors with smaller device sizes, lower on resistance, and higher working frequency offer many advantages over traditional silicon-based MOSFETs. Adopting GaN technology could cut total solution size without compromising efficiency.

Learn More

 

Maximum Power Limit for Withstanding Insulation Capabilities of Modern IGBT/MOSFET Gate Drivers

Learn More

发布日期: 2018-02-13 | 更新日期: 2025-01-28