Analog Devices Inc. HMC219B GaAs MMIC基本混频器
Analog Devices HMC219B GaAs MMIC基本混频器是通用、双平衡混频器，采用超小8引脚MINI_SO_EP封装（有裸焊盘）。由于采用优化的巴伦结构，所以HMC219B混频器具有出色的LO至RF和LO至IF隔离。HMC219B提供典型的本地振荡器 (LO) 至射频 (RF) 隔离（40dB时），LO至中频 (IF)（35dB时）和射频至IF隔离（22dB时）。
设计人员可将HMC219B混频器作为上变频器、下变频器、双相解调器或相位比较器。当用作下变频器时，HMC219B混频器将2.5GHz-7GHz射频 (RF) 向下转换为DC-3GHz中频(IF)。当用作上变频器时，DC-3GHz中频向上转换为2.5GHz-7GHz射频。该混频器的MMIC性能始终如一，提升了系统运行效率，确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规要求。
HMC219B采用GaAs金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺，无需外部组件或匹配电路。此外，HMC219B混频器无需电线连接，兼容大容量、表面贴装制造技术。
特性
- 转换损耗：9dB（典型值）
- LO至射频隔离：40dB（典型值）
- LO至IF隔离: 35dB（典型值）
- 射频至IF隔离：22dB（典型值）
- 输入IP3：18dBm（典型值）
- 输入P1dB：11dBm（典型值）
- 输入IP2：55dBm（典型值）
- 被动双平衡拓扑结构
- 8引脚、3mm × 3mm、MINI_SO_EP
应用
- 微波无线电
- 高性能无线电局域网 (HiperLAN) 和未经许可的国家信息基础设施 (U-NII)
- 工业、科学和医疗 (ISM)
功能框图
发布日期: 2017-09-27
| 更新日期: 2022-04-25