Analog Devices Inc. HMC558A GaAs MMIC基波混频器
Analog Devices HMC558A GaAs MMIC基波混频器属于通用、双平衡混频器，设计人员可将其用作5.5GHz至14GHz之间的上变频器或下变频器。HMC558A混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺，无需外部元件或匹配电路。
由于HMC558A采用优化的巴伦结构，所以该混频器具有出色的LO至RF和LO至IF隔离性能。该混频器的LO驱动电平低至9dBm。HMC558A混频器采用被动双平衡拓扑技术，其典型规格包括21dBm IIP3、11.5dBm输入P1dB和55dBm IIP2（10GHz至14GHz时）。
特性
- 转换损耗：7.5dB（典型值，5.5GHz至10GHz时）
- 本地振荡器 (LO) 到射频 (RF) 隔离：45dB（典型值，5.5GHz至10GHz）
- LO至中频 (IF) 隔离：45dB（典型值，10GHz至14GHz时）
- 输入三阶交调截点 (IIP3)：21dBm（典型值，10GHz至14GHz时）
- 输入P1dB：11.5dBm（典型值，10GHz至14GHz时）
- 输入二阶交调截点 (IIP2)：55dBm（典型值，10GHz至14GHz时）
- 被动双平衡拓扑结构
- 宽IF带宽：直流至6GHz
- 12引脚陶瓷无引线芯片载体封装
应用
- 点对点微波无线电
- 点对多点无线电
- 军事终端用途
- 仪器仪表、自动检测设备 (ATE) 和传感器
功能框图
发布日期: 2017-09-13
| 更新日期: 2022-04-25