特性
- 灵活的逻辑架构:
- 四个器件,具有384至7,680个LUT4和10至206个I/O
- 超低功耗器件:
- 先进的40nm低功耗工艺
- 待机功耗低至21μA
- 可编程低摆幅差分I/O
- 嵌入式和分布式存储器:
- 高达128Kbit的sysMEM嵌入式block RAM
- 预先设计的源同步I/O:
- I/O单元中的DDR寄存器
- 高性能、灵活的I/O缓冲区:
- 可编程sysIO缓冲区支持多种接口:
- LVCMOS 3.3/2.5/1.8
- VDS25E、subLVDS
- 施密特触发器输入至200mV典型迟滞
- 可编程上拉模式
- 可编程sysIO缓冲区支持多种接口:
- 灵活的片上时钟:
- 八个低偏移全局时钟资源
- 每个器件最多两个模拟PLL
- 灵活的器件配置
- SRAM通过以下方式配置:
- 标准SPI接口
- 内部非易失性配置存储器 (NVCM)
- SRAM通过以下方式配置:
- 各种封装选项:
- QFN、VQFP、TQFP、ucBGA、caBGA和csBGA封装选项
- 最小2.5mm x 2.5mm的小尺寸封装
- 先进的无卤封装
发布日期: 2019-04-02
| 更新日期: 2023-04-13
