Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET设计用于最大限度地降低RDS(ON)，并保持出色的开关性能。该MOSFET具有低VGS(TH)和ESD保护栅极。DMN3732UFB4 MOSFET符合AEC-Q100/101/104/200标准，采用0.4mm超薄型封装。该MOSFET无铅，符合RoHS指令，工作温度范围为-55°C至150°C。典型应用包括负载开关、便携式应用和电源管理功能。
特性
- 0.4mm超薄型封装，用于薄型应用
- 0.6mm2 封装尺寸
- 低VGS(TH)
- 低RDS（导通）
- ESD保护栅极
- 符合AEC-Q100/101/104/200标准
- 支持PPAP
- 无铅
- 符合RoHS指令
- 不含卤素和锑
规范
- 漏极-源极电压：30VDSS
- ±8VGSS栅极-源极电压
- 3A脉冲漏极电流
- 最大连续体二极管正向电流：0.96A
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 封装：
- X2-DFN1006-3
- UL可燃性等级：94V-0
- 重量：
- 0.001克
应用
- 负载开关
- 便携式应用
- 电源管理功能
外形尺寸
发布日期: 2022-12-27
| 更新日期: 2023-01-23