Diodes Incorporated DMN52D0LT N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMN52D0LT N沟道增强模式MOSFET设计用于最大限度地降低R_DS(ON)，并保持出色的开关性能。该MOSFET具有极低的栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度和ESD保护栅极。DMN52D0LT MOSFET具有低输入/输出漏电流，符合AEC-Q100/101/104/200标准并具有PPAP功能。该MOSFET无铅，符合RoHS指令，工作温度范围为-55°C至150°C。典型应用包括电机驱动、电源管理功能和负载开关。