Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET是一款符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低RDS(ON)，能够尽可能降低导通损耗。这款MOSFET具有出色的QGD ×RDS(ON) 乘积 (FOM) 和可湿性侧翼，可提高光学检测能力。DMTH46M7SFVWQ MOSFET无铅、符合RoHS指令，并支持生产部件批准流程 (PPAP)。典型应用包括电机控制、电源管理功能和DC-DC转换器。
特性
- 额定温度为175°C，非常适合用于高环境温度的环境
- 出色的QGD ×RDS (ON) 乘积 (FOM)
- 低RDS(ON) 能够尽可能降低导通损耗
- 100%无钳位电感开关 (UIS) 生产测试，确保更加可靠而稳健的终端应用
- 符合AEC-Q101
- 带可湿性侧翼，可提高光学检测能力
- 无铅
- 符合RoHS指令
- 不含卤素和锑
规范
- 漏源电压：40VDSS
- 栅源电压：±20VGSS
- 脉冲漏极电流：260A
- 最大连续体二极管正向电流：65A
- 工作温度范围：-55°C至175°C
- PowerDI®3333-8封装
- UL可燃性分类等级：94V-0
- 重量：0.072克
应用
- 电机控制器
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
尺寸
发布日期: 2022-12-25
| 更新日期: 2024-03-06