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Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ汽车增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMTH8001STLW汽车增强模式MOSFET是一款N沟道MOSFET，具有低导通电阻（1.1mΩ典型值，1.7mΩ最大值）和出色的开关性能。DMTH8001STLW具有80V漏源电压、1µA零栅极电压漏极电流以及±100nA栅极-源极漏电流。该器件符合AEC-Q101标准，由PPAP支持，优化用于汽车应用。

Diodes Incorporated DMTH8001STLW增强模式MOSFET采用高效散热的紧凑型PowerDI®1012-8 (TOLL) 封装。TOLL封装设计用于处理高达300A的电流，占用的PCB面积比行业标准的TO263封装少了20%。TOLL封装具有2.4mm离板高度，非常适合用于紧凑型高密度设计。TOLL的低封装电感提高了EMI性能，镀锡槽形引线确保满足自动光学检查 (AOI) 的需求。

特性

  • 额定温度为175°C，非常适合用于高环境温度环境
  • 100%无钳位电感开关 (UIS) 生产测试，确保更加可靠而稳健的终端应用
  • 高转换效率
  • 低RDS(ON)最大限度地降低导通状态功耗
  • 带可湿性侧翼，可提高光学检测能力
  • 无铅涂层，符合RoHS指令
  • 无卤、无锑的“绿色”器件
  • DMTH8001STLWQ适合用于需要特定变化控制的汽车应用；该部件符合AEC-Q100标准，支持PPAP，在IATF 16949认证的工厂生产。

应用

  • 电机控制
  • DC-DC转换器
  • 电源管理

规范

  • 漏极-源极电压 (VDSS)：80V
  • 漏极-源极导通电阻 (RDS(ON))：1.7mΩ
  • 零栅极电压漏极电流 (IDSS)：1µA
  • 栅极-源极漏电流 (IGSS)：±100nA
  • 栅极阈值电压 (VGS(TH))：2v至4v
  • 栅极-源极电压 (VGSS)：±20V
  • 连续漏电流 (ID)
    • 270A (TC= +25°C)
    • 150A (TC= +100°C)
  • 反向恢复时间 (tRR)：94ns
  • 反向恢复电荷 (QRR)：291nC
  • 工作结温范围 (TJ)：-55°C至+175°C
  • 外壳：POWERDI1012-8 (TOLL)
  • 外壳材料：模制塑料、“绿色”模压UL可燃性分类等级94V-0
  • 湿度敏感度：J-STD-020 标准第 1 级
  • 端子涂层：在铜引线框上进行退火处理的锡雾。
  • 可焊接，符合MIL-STD-202标准之方法208的要求
  • 重量：388g（近似值）

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内部示意图

原理图 - Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ汽车增强模式MOSFET

封装外形

机械图纸 - Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ汽车增强模式MOSFET
发布日期: 2022-03-22 | 更新日期: 2022-05-11