Diodes Incorporated FMMT411T NPN低电压雪崩晶体管

Diodes Incorporated FMMT411T NPN低电压雪崩晶体管是一款设计用于在雪崩模式下工作的硅平面双极晶体管。  紧密的过程控制和低电感封装结合,可产生具有快速边缘的大电流脉冲。FMMT411T专门设计用于低压雪崩模式运行,具有80A峰值雪崩电流。

特性

  • BVCES > 80V
  • BVCEO > 15 V
  • 专门设计用于低电压雪崩模式运行
  • 峰值雪崩电流:80A
  • 无铅,符合RoHS指令
  • 无卤、无锑的绿色器件

应用

  • 激光二极管驱动器,用于测距和测量 (LIDAR)
  • 快速边缘开关发生器
  • 高速脉冲发生器

典型电路

Diodes Incorporated FMMT411T NPN低电压雪崩晶体管
发布日期: 2020-11-03 | 更新日期: 2024-08-20