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Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N通道功率MOSFET是碳化硅MOSFET，设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。这些MOSFET具有低输入电容、高达100μA零栅极电压漏极电流、高达±250nA栅极-源极漏电流以及适用于电源应用的高BVDSS 额定值。DMWSH120Hx MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，符合UL 94 V-0可燃性分类等级。这些功率MOSFET非常适合用于EV大功率直流-直流转换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、交流-直流牵引逆变器和汽车电机驱动器。

特性

  • 低导通电阻
  • 高BVDSS 额定值，适用于电源应用
  • 低输入电容
  • 零栅极电压漏极电流：高达100μA
  • 栅极-源极漏电流高达±250nA
  • 符合AEC-Q101标准（DMWSH120H28SM3Q、DMWSH120H28SM4Q、DMWSH120H90SM3Q和DMWSH120H90SM4Q）
  • 无铅表面处理
  • 符合RoHS指令
  • UL 94 V-0可燃性分类等级
  • 工作温度范围：-55 °C至175 °C
  • 采用TO247、TO247-4或TO263-7封装

应用

  • EV大功率直流-直流转换器
  • 电动汽车充电系统
  • 太阳能逆变器
  • 交流-直流牵引逆变器
  • 汽车电机驱动器
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物料编号 数据表 通道数量 晶体管极性 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 Pd-功率耗散
DMWSH120H90SCT7 DMWSH120H90SCT7 数据表 1 Channel N-Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC 197 W
DMWSH120H28SM3Q DMWSH120H28SM3Q 数据表 1 Channel N-Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC 405 W
DMWSH120H28SM4 DMWSH120H28SM4 数据表 1 Channel N-Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 173.7 nC 429 W
DMWSH120H28SM3 DMWSH120H28SM3 数据表 1 Channel N-Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC 405 W
DMWSH120H28SM4Q DMWSH120H28SM4Q 数据表 1 Channel N-Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 173.7 nC 429 W
DMWSH120H43SM3 DMWSH120H43SM3 数据表 1 Channel N-Channel 1.2 kV 72.7 A 43 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 105 nC 341 W
DMWSH120H90SM3 DMWSH120H90SM3 数据表 1 Channel N-Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC 246 W
DMWSH120H90SM3Q DMWSH120H90SM3Q 数据表 1 Channel N-Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC 246 W
DMWSH120H90SM4Q DMWSH120H90SM4Q 数据表 1 Channel N-Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC 235 W
DMWSH120H90SM4 DMWSH120H90SM4 数据表 1 Channel N-Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC 235 W
发布日期: 2024-06-11 | 更新日期: 2024-07-22