Diodes Incorporated DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管
Diodes Incorporated DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管额定电压为30V、60V和100V，具有出色的导通效率和热性能，适用于要求严格的汽车电源开关和控制。超低VCE(SAT) NPN和PNP双极晶体管非常适合12V、24V和48V系统，支持MOSFET和IGBT栅极驱动、负载开关、LDO调节、DC-DC转换以及电机/致动器控制等应用。
Diodes Inc DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管的额定温度为+175°C，具有高ESD耐受性（静电放电人体模型4kV，静电放电机器模型1kV），确保在恶劣环境下可靠运行。紧凑型PowerDI® 3333-8封装 (3.3mm x 3.3mm) 的PCB占位面积比SOT223小75%，并提供超低热阻 (4.2°C/W)。
侧壁可镀层（SWP）技术提高了AOI可见度和焊料接头的强度，实现了高效可靠的制造。DXTN/P 78Q和80Q晶体管的BVCEO高达100V，持续电流为10A（峰值为20A），饱和电压低至17mV，将传导损耗降低了50%，从而可实现更低温度、更高效的设计。
特性
- 卓越的效率
- 紧凑型、高热性能封装
- 广泛的应用范围
- 增强的制造和质量保证
- 符合汽车标准的可靠性
应用
- MOSFET和IGBT栅极驱动器
- 负载开关
- 线性电压调节
- 直流-直流转换器
- 电机、螺线管、继电器和致动器控制
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提供小尺寸、散热效率高的PowerDI 3333-8封装，适用于高密度产品。
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典型应用
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| 物料编号 | 数据表 | 集电极—发射极最大电压 VCEO | 集电极连续电流 | 增益带宽产品fT |
|---|---|---|---|---|
| DXTN78030DFGQ-7 |  |
30 V | 9 A | 260 MHz |
| DXTN78060DFGQ-7 | |
60 V | 6 A | 250 MHz |
| DXTN78100CFGQ-7 | |
100 V | 4 A | 210 MHz |
| DXTN80030DFGQ-7 | |
30 V | 10 A | 130 MHz |
| DXTN80060DFGQ-7 | |
60 V | 6.5 A | 140 MHz |
| DXTN80100CFGQ-7 | |
100 V | 5.5 A | 125 MHz |
| DXTP78030DFGQ-7 | |
30 V | - 6.5 A | 315 MHz |
| DXTP78060DFGQ-7 | |
60 V | - 4.5 A | 320 MHz |
| DXTP78100CFGQ-7 | |
100 V | - 2.5 A | 290 MHz |
| DXTP80030DFGQ-7 | |
30 V | - 7.5 A | 190 MHz |
发布日期: 2026-02-10
| 更新日期: 2026-02-16