Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管是一款设计用于在雪崩模式下工作的硅平面双极晶体管。紧密的过程控制和低电感封装，可产生具有快速边缘的大导通电流脉冲。Diodes Incorporated的这款双极结型晶体管 (BJT) 设计用于满足汽车应用的严格要求。
特性
- IUSB=35A（典型值）
- BVCBO>80V
- BVCEO>15V
- 专门设计用于在低电压雪崩模式下工作
- 高度为0.62mm的薄型封装，适用于薄型应用
- 镀锡侧壁可用于AOI中的可湿侧面
- 无铅，符合RoHS指令
- 无卤、无锑的绿色器件
- FMMT411FDBWQ适合用于需要特定变更控制的汽车应用
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，在通过IATF16949认证的工厂中制造
规范
- W-DFN2020-3/SWP（A型）封装
- 标称封装高度：0.62mm
- 封装材料是模制塑料绿色模压化合物。UL可燃性等级：94V-0
- 湿度敏感度：J-STD-020标准1级
- 端子采用雾锡涂层，可焊接，符合MIL-STD-202方法208的要求
- 重量：0.01克（近似值）
应用
- 激光二极管驱动器，用于测距和测量 (LIDAR)
- 雷达系统
- 快速边缘开关发生器
- 高速脉冲发生器
封装尺寸
发布日期: 2022-11-16
| 更新日期: 2022-11-23