Diodes Incorporated PNP低饱和晶体管
Diodes Incorporated PNP低饱和晶体管符合AEC-Q100/101/200标准。这些低饱和晶体管具有PPAP功能，其制造工厂通过IATF 16949认证。PNP晶体管的标称封装高度为0.6mm，采用U-DFN2020-3封装。这些低饱和晶体管提供的静态正向电流传输比 (hFE)高达-3A/-5V/-6A，用于保持大电流增益。典型应用包括直流-直流转换器、充电电路、电机控制和电源开关。
特性
- 符合AEC-Q100/101/200标准
- 支持PPAP
- 在经过IATF 16949认证的工厂中制造
- 外形纤薄
- 标称封装高度：0.6mm
- 第1级湿度敏感度，符合J-STD-020标准
- hFE额定电压高达：
- -3A（DXTP58100CFDB和DXTP5840CFDB）
- -5A (DXTP5860CFDB)
- -6A (DXTP5820CFDB)
应用
- 直流-直流转换器
- 充电电路
- 电机控制
- 电源开关
降额曲线
其他资源
发布日期: 2020-01-14
| 更新日期: 2023-08-11