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Diodes Incorporated PI2SSD3212A1 14位2:1 eMMC/DDR信号开关

Diodes Inc. PI2SSD3212A1 1.8V 14位2:1 eMMC/DDR信号开关专为eMMC HS200和HS400总线而设计，传输速率高达400MB/s，I/O电压为1.8V或1.2V。HS200是高速接口时序模式，支持在200MHz单数据速率总线上实现高达200MB/s的传输速率；HS400支持在200MHz双数据速率总线上实现高达400MB/s的传输速率。此外，该器件还支持CMOS选择输入信号，以及POD_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信号标准，可用于速率高达5Gbps的DDR2、DDR3或DDR4存储器总线开关。PI2SSD3212A1支持DDR3（800Mbps至2133Mbps）和DDR4（1600Mbps至4266Mbps）。

PI2SSD3212A1采用1:2解复用或2:1多路复用拓扑结构。所有14位通道均可通过SEL输入信号切换至两个端口中的任一端口。此外，还支持断开所有端口连接。PI2SSD3212A1采用Diodes Inc.专有的高速开关技术，能在所有通道上提供稳定的高带宽，同时将串扰、插入损耗和位间偏斜降至最低。该器件采用48引脚TFBGA 4.5mmx4.5mmx0.8mm封装。

特性

  • 14位2:1开关，支持速率高达400MB/s的eMMC HS200/HS400接口，以及DDR3 800Mbps至2133Mbps、DDR4 1600Mbps至4266Mbps的传输速率
  • 1.8V单电源供电
  • SEL和全局使能
  • 典型工作电流：150μA（VDD=1.8V时）
  • 禁用或取消选择时，具有高阻抗和低Coff通道输出
  • 典型低阻值4Ω RON
  • -3dB带宽：2.8GHz
  • 低插入损耗：-0.35 dB（400 MHz时）
  • 低回波损耗：-23dB（400MHz时）
  • 低高速通道串扰：-26dB（400MHz时）
  • 关断隔离度：-28dB（400MHz时）
  • 低位间偏斜：10ps（典型值）
  • HBM ESD：2kV
  • 48引脚4.5mmx4.5mmx0.8mm TFBGA（NC）封装
  • 无铅，符合RoHS标准
  • 绿色器件，无卤素、无锑

应用

  • 高速多路复用
  • eMMC模块
  • DDR3/DDR4存储器总线系统

其他资源

方框图

框图 - Diodes Incorporated PI2SSD3212A1 14位2:1 eMMC/DDR信号开关
发布日期: 2025-09-24 | 更新日期: 2026-01-07