Infineon Technologies 4G/5G低噪声放大器
英飞凌科技4G/5G低噪声放大器设计用于LTE和5G，具有宽频率范围。4G/5G低噪声放大器增益步进具有增益和线性度，可进行调整以增加动态系统范围，并适应不断变化的干扰情况。
英飞凌科技4G/5G低噪声放大器支持2µA超低旁路电流和1.2V工作电压，可降低功耗。该器件在整个温度范围内的工作电源电压为1.1V至2.0V。
该放大器采用紧凑型9引脚TSNP-9封装，尺寸为1.1mm x 1.1mm，可节省PCB空间。
特性
- 高线性度
- 同类最佳噪声系数
- 低电流消耗
- 电源电压：1.5V至3.3V
- 微型超小型
- 单LNA：TSNP-6-2无引线封装（尺寸：1.1mm x 0.7mm2）
- 四通道LNA组：TSLP-12-4无引线封装（尺寸：1.1 x 1.9mm2）
- B7HF硅镍碳 (SiGe: C) 技术
- 射频输出内部匹配至50Ω
- 较少外部元件
- 2kV HBM ESD保护
- 无铅（符合RoHS指令）封装
应用
- 智能手机
- 平板电脑
- 数据卡
- M2M通信
框图
MIPI至RF时间
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| 物料编号 | 数据表 | 工作频率 | P1dB - 压缩点 |
|---|---|---|---|
| BGA9H1MN9E6329XTSA1 |  |
1.4 GHz to 2.7 GHz | - 17 dBm |
| BGM787U50E6327XUMA1 | |
600 MHz to 2.7 GHz | |
| BGA9H1BN6E6327XTSA1 | |
2.3 GHz to 2.7 GHz | - 17 dBm |
发布日期: 2021-04-13
| 更新日期: 2025-07-29