Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率MOSFET
英飞凌科技650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率MOSFET是超快二极管，扩展了CFD7系列的电压等级产品。该功率MOSFET具有额外的50V击穿电压、集成快速体二极管、改进的开关性能以及出色的散热性能。这些CFD7功率MOSFET在LLC和相移全桥 (ZVS) 等谐振开关拓扑中提供最高效率。这些MOSFET将快速开关技术的所有优势与出色的硬计算稳健性结合在一起。这些功率MOSFET支持符合可靠性标准的CoolMOS™ CFD7技术，进一步支持高功率密度解决方案。
650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率MOSFET在工业SMPS应用中降低了开关损耗并提高了满载效率。该功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。这些CFD7 SJ功率MOSFET完全符合JEDEC工业应用标准，采用PG-TO247-3、PG-TO247-4-3和 PG-TO220-3封装。这些MOSFET适合用于软开关拓扑、快速电动汽车充电、服务器电源、太阳能系统解决方案和电信基础设施。
特性
- 超快体二极管
- 650V击穿电压
- 同类最佳的RDS(on)
- 降低开关损耗
- 在整个温度范围内具有低RDS(on)依赖性
- 出色的硬换向耐受性
- 为具有更高总线电压的设计提供额外安全余量
- 实现超高功率密度解决方案
- 在工业SMPS应用中具有出色的轻负载效率
- 提高了工业SMPS应用中的满载效率
- 价格竞争力高于之前的CoolMOS™系列
规范
- 连续漏极电流ID：69A至44A
- 脉冲漏极电流ID、脉冲：304A
- 功率耗散Ptot：305W
- 工作结温和储存温度范围：-55°C至150°C
应用
- LLC应用：
- 服务器
- 电信
- EV充电
- 太阳能
- 适合用于软开关拓扑
- 优化用于相移全桥 (ZVS)
其他资源
应用说明
相关产品
Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ功率MOSFET
高压超级结功率器件，专门优化用于 电动汽车应用。
发布日期: 2020-09-21
| 更新日期: 2025-10-30