Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管代表功率转换技术的重大进步。这些氮化镓 (GaN) 晶体管设计工作在高频下具有出色的效率,使超快速开关成为可能并最大限度地降低能量损耗。700V CoolGaN G5系列采用常闭的增强模式晶体管,确保安全运行和高可靠性。这些晶体管具有低栅极与输出电荷,支持高功率密度设计,并降低了系统BOM成本。

稳健的换向耐受性和高ESD标准,使得这些晶体管非常适合用于充电器、适配器和家用电器等消费电子应用。底部冷却ThinPAK封装进一步增强了热管理,可实现紧凑高效的设计。总体而言,英飞凌700V CoolGaN™ G5功率晶体管将性能、可靠性和高性价比完美结合,可满足现代功率转换需求。

特性

  • 增强模式晶体管
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 能够反向传导
  • 低栅极与输出电荷
  • 卓越的换向坚固性
  • 2kV HBM ESD标准
  • 常闭晶体管技术确保安全运行
  • 可实现快速精确的供电控制
  • 提高系统效率和可靠性
  • 确保在恶劣条件下具有稳健性能
  • PG‑TSON‑8封装
  • 潮湿敏感度等级 (MSL) 3级
  • 无铅、无卤,符合RoHS指令

应用

  • 交流-直流辅助电源
  • 电信基础设施用交流-直流电源转换
  • 消费类电子产品
  • 家用电器
  • 电源转换
  • USB-C适配器和充电器
  • 数据中心和AI数据中心解决方案
  • 工业电源

规范

  • 漏-源电压
    • 最大连续电压:700V
    • 最大瞬态电压:900V
    • 最大脉冲电压:650V或750V
  • 在漏-源瞬态电压下的最大漏电流范围:2.6mA至4.8mA
  • 最大脉冲开关浪涌电压:750V
  • 最大漏-源连续电流范围:7.2A至13A
  • 最大漏-源脉冲电流范围:7.7A至23A
  • 最大连续栅极电流:4.2mA至7.7mA
  • 栅极-源极电压
    • 最小连续电压:-10V
    • 最小脉冲电压:-25V
  • 最大功率耗散:28W至47W
  • 漏-源导通电阻范围:170mΩ至330mΩ
  • 最大漏-源电压转换速度:200V/ns
  • 工作结温范围:-40 °C至+150 °C

原理图

原理图 - Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管
发布日期: 2025-04-18 | 更新日期: 2025-05-02