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Infineon Technologies AIKQ200N75CP2 Duo Pack EDT2™ IGBT

Infineon Technologies AIKQ200N75CP2 Duo Pack EDT2™ IGBT采用TO247PLUS封装，设计用于主逆变器系统。   基准750V EDT2技术显著提高了高压汽车应用的能效。  该器件可实现高达470V的电池电压，以及由于过压裕度增加而实现安全的快速开关。  该TO-247PLUS封装具有较大的爬电距离，可满足高达470V Vdc的汽车高压应用要求。作为分立式逆变器系统设计中广泛使用的封装，该封装具有高兼容性，可替代现有逆变器设计中的旧器件。

特性

  • VCE = 750V
  • 750V集电极-发射极阻断电压能力
  • 顺畅开关特性
  • 极低VCE(sat)，1.40V（ICnom = 200A时）
  • 可靠短路保护
  • 非常紧凑的参数分布
  • 低栅极电荷QG
  • 封装中集成有由3个二极管控制的快速软恢复发射器
  • 符合AEC-Q101标准
  • 提高应用中的过压裕度
  • 减少所需并联器件的数量
  • 简易栅极驱动器设计
  • 短路条件下的自限制电流
  • 低EMI干扰
  • 可靠性高和寿命长

应用

  • xEV逆变器
  • 电机驱动器

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发布日期: 2022-02-17 | 更新日期: 2023-08-08