Infineon Technologies 车规级IGBT EDT2分立器件

英飞凌车规级IGBT EDT2分立器件采用基准750V IGBT技术，显著提高了汽车传动系应用的能效。  该技术可支持高达470V的直流链路电压，能显著降低开关和传导损耗。EDT2技术的参数分布极为紧凑，具有正热系数。这样就能轻松实现并行运行，为最终设计提供系统灵活性和功率可扩展性。与现有的IGBT3系列相比，英飞凌EDT2 IGBT（符合AEC-Q101标准）具有更高的阻断电压和20%更低的饱和电压。优化电池结构可实现高梯度开关速度。坚固耐用的设计可避免闭锁，并提供充分的短路保护。