Infineon Technologies BGAx1A10带增益控制的LTE LNA

Infineon Technologies BGAx1A10带增益控制的LTE低噪声放大器 (LNA) 设计用于显著提高数据速率。这些BGAx1A10 LNA具有集成增益控制、旁路功能、较高的系统灵活性、27dB增益动态范围以及低噪声系数。旁路模式可降低电流消耗，移动工业处理器接口 (MIPI) 控制接口可将控制线降至最低。BGAx1A10 LNA的高增益特性促成了高LTE数据速率，高集成增益控制促成了较高的系统灵活性。BGAx1A10 LNA可在高增益模式下提供最佳噪声系数，因此可确保即使是LTE单元边缘也具有较高的数据速率。BGAx1A10 LNA非常适合用于智能手机。