返回Infineon Technologies

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管

英飞凌CoolGaN ™ Gen 2 650V功率晶体管采用高效GaN（氮化镓）晶体管技术，可用于电压高达650V的功率转换。 英飞凌GaN技术运用端对端的大批量生产，使E模式概念臻至成熟。这种前所未有的质量确保了最高标准并提供最可靠的性能。增强模式CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管通过超快开关速度，提高了系统效率和功率密度。

特性

  • 强化模式晶体管，常闭式开关
  • 超快开关速度
  • 无反向恢复电荷
  • 能够反向传导
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 出色的换向耐受性
  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 支持高工作频率
  • 系统成本节约
  • 降低EMI
  • 封装选项
    • PG‑DSO‑20
    • PG‑HDSOP‑16
    • PG‑TSON‑8
  • ESD (HBM/CDM) JEDEC标准
  • 无铅、无卤素，符合RoHS标准

应用

  • 工业
  • 基于半桥拓扑结构的充电器和适配器（用于硬开关和软开关的半桥拓扑结构，如图腾柱PFC、高频率LLC）
  • 电信
  • 数据中心SMPS

规范

  • 栅极-源极阈值电压：1.6 V
  • -10 V栅极-源极电压
  • 漏极-源极击穿电压：650V
  • 栅极电荷范围：1.4nC至16nC
  • 漏极-源极导通电阻范围：30mΩ至330mΩ RDS
  • 连续漏极电流范围：7.2A至67A
  • 功率耗散范围：28W至219W
  • 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
发布日期: 2024-11-05 | 更新日期: 2026-02-24