Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
英飞凌CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET根据超级结（SJ）原理设计，具有低开关和导通损耗。此系列MOSFET具有优异的换向耐受性，因此适合用于硬开关和软开关拓扑结构。CoolMOS™ CM8 650V MOSFET具有低振铃特性及PFC与PWM级通用性，可实现快速设计导入。此系列MOSFET采用先进的芯片连接技术，可简化热管理。CoolMOS™ CM8 650V MOSFET符合RoHS标准，且完全符合JEDEC工业应用标准。典型应用包括LLC谐振转换器、AI服务器、电信电源和数据中心。
特性
- 650V SJ MOSFET性能
- 适用于硬开关和软开关拓扑
- 集成快速体二极管和ESD保护
- ）。XT互连技术，可提高散热性能
- 通过先进的裸片连接技术简化了热管理
- 低振铃特性及PFC与PWM级通用性，可实现快速设计导入
- 占位面积小，可实现功率密度更高的解决方案
- 符合RoHS标准
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用
- 电源和转换器
- PFC级和LLC谐振转换器
- 数据中心
- AI服务器
- 电信电源
发布日期: 2025-04-25
| 更新日期: 2025-06-03