Infineon Technologies CoolSiC™ 650V第6代肖特基二极管
Infineon CoolSiC™ 650V第6代肖特基二极管采用专有的扩散焊接工艺、更紧凑的设计、薄晶圆技术以及新型肖特基金属系统。得益于较低的品质因数 (Qc x VF)，可在所有负载条件下实现更高效率。CoolSiC™第6代补充了600V和650V CoolMOS™ 7系列，可满足该电压范围中最严格的应用要求。
特性
- 出色的正向电压
- 优异的品质因数 (Qc x VF)
- 高dv/dt稳健性
- 更高的系统效率
- 由于降低了冷却要求，因此节省了系统成本并减小了尺寸
- 实现更高频率和功率密度
应用
- SMPS功率因数校正
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
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Infineon Technologies CoolSiC™肖特基二极管
具有高可靠性、最佳效率以及行业领先的碳化硅性能。
发布日期: 2017-08-30
| 更新日期: 2024-08-08