Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 1200 V评估平台
英飞凌CoolSiC ™ MOSFET 1200V评估平台用于演示与EiceDriver ™ 栅极驱动器IC耦合时45mΩ CoolSiC™1200V SiC沟槽式MOSFET (IMZ120R045M1) 的特性。 该评估平台包括一个模块化主板 (EVALPSSICDPMAGITOBO1)、一个米勒钳位子板 (REFPSSICDP1TOBO1) 和一个双极电源子板 (REFPSSICDP2TOBO1)。
特性
- CoolSiC MOSFET 1200V主板
- VCC2 栅极驱动电压电源：-5V至+20V
- VCC1 电源电压：固定在+5V
- 通过SMA BNC连接器进行栅极连接
- 通过可选的同轴分流器进行电流测量
- 优化的换向环路
- 外部负载电感器连接
- 包括散热片
- 米勒钳位子板
- 最小栅极驱动环路
- Rg ON和Rg OFF可换
- VCC2 +15V至0V GND
- 有源米勒钳位功能
- 双极电源子板
- 最小栅极驱动环路
- Rg ON和Rg OFF可换
- VCC2 +15V至-5V GND2
- 可提供负电源
板载
Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET
经过优化，可实现最低应用损耗和最高运行可靠性。
Infineon Technologies 1EDNx550 TDI EiceDriver栅极驱动器IC
具有真正差分输入 (TDI)，可防止误触发功率MOSFET。
板布局
框图
发布日期: 2020-03-13
| 更新日期: 2024-10-11