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Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™沟槽MOSFET模块

英飞凌EasyPACK™ CoolSiC™沟槽MOSFET模块 采用PressFIT接触技术，并集成了负温度系数 (NTC) 温度传感器。这些模块在1200V 漏-源电压下工作，具有低电感设计、低开关损耗和大电流密度。EasyPACK™模块由于集成了安装夹，因此安装牢固，且封装CTI >600。应用包括高频开关设备、DC/DC转换器和电动汽车的DC充电器。凭借Easy 2C系列，英飞凌让更多大功率设计使用SiC G2技术和先进的XT特性。该XT技术增强了坚固性并扩展了运行温度，而第二代SiC MOSFET技术改进了栅极氧化物可靠性并降低了导通电阻。

凭借Easy 2C系列，英飞凌利用SiC G2技术和先进功能，提升了高功率设计。XT功能革新大功率设计，为苛刻的应用提供卓越的性能。该XT技术提供了增强的坚固性和扩展的工作温度范围，而第二代SiC MOSFET技术则提供了改进的栅极氧化物可靠性和降低的导通电阻。

特性

  • 第二代SiC G2 MOSFET技术具有改进的门氧化物可靠性
  • Easy 2C™外壳
  • 增强XT技术可实现扩展温度操作和卓越的坚固性
  • 超低的开关损耗，可实现高达MHz范围的高频操作
  • 1200V VDSS额定值，具有出色的电流处理能力
  • 先进的热界面，集成了NTC温度传感器和优化的底板设计
  • 低电感封装设计，最大限度地减少寄生效应和EMI
  • PressFIT接触技术，实现可靠的无焊连接
  • 一体的安装夹确保牢固的机械组装
  • CTI >600封装等级，具有增强的爬电距离和电气间隙性能
  • 高电流引脚配置，针对电力应用进行了优化
  • 宽安全工作区域 (SOA)，提供设计灵活性与故障容限
  • 符合IEC 60747、60749和60068测试协议的工业标准

应用

  • 高频开关器件
  • DC/DC转换器
  • 电动汽车的DC充电器

视频

电路图

应用电路图 - Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™沟槽MOSFET模块

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发布日期: 2025-09-30 | 更新日期: 2026-02-17