Infineon Technologies IDFW80C65D1 650V硅功率二极管

英飞凌科技IDFW80C65D1 650V硅功率二极管是一款80A Rapid 1开关发射器控制器件,采用TO-247高级隔离封装。该硅功率二极管具有低正向电压、低反向恢复电荷以及低反向恢复电流。该IDFW80C65D1功率二极管具有2500V RMS电气隔离电压和650V重复峰值反向电压。该硅功率二极管的工作温度范围为-40°C至175°C。IDFW80C65D1功率二极管是100%经过测试的隔离式安装表面,采用无铅电镀。典型应用包括电机控制和驱动器、空调、通用驱动器 (GPD) 和工业SMPS。

特性

  • 关键参数的温度稳定行为
  • 低正向电压 (VF)
  • 低反向恢复电荷 (Qrr)
  • 低反向恢复电流 (Irrm)
  • 100%经过测试的隔离式安装表面
  • 引脚无铅电镀
  • 符合RoHS指令

规范

  • 650V发射器控制技术
  • 2500VRMS电气隔离,50/60Hz,t=1分钟
  • 最大二极管正向电压:1.7V
  • 最大反向漏电流:40µA
  • 工作温度范围:-40°C至175°C
  • 储存温度范围:-55°C至150°C

应用

  • 电机控制和驱动器
  • 空调
  • 通用驱动器 (GPD)
  • 工业SMPS
发布日期: 2020-10-20 | 更新日期: 2024-12-06