Infineon Technologies IRF150DM115 OptiMOS™ 5 150V MOSFET

英飞凌IRF150DM115 OptiMOS™ 5 150V MOSFET设计用于优化热设计,以实现高功率密度和效率。此MOSFET突破性降低了RDS(on)(与SuperSO8中的替代产品相比降低达25%)和Qrr,而且不影响FOMgd 和FOMOSS 。这样可有效减少设计工作量,同时优化系统效率。IRF150DM115 MOSFET采用带OptiMOS™ 5的DirectFET™封装。双面冷却封装具有低寄生电感和薄型设计,可实现高功率密度设计。这款OptiMOS 5 150V MOSFET适合用于针对光伏优化器、无绳电动工具和电机控制中的功率转换。潜在应用包括微型太阳能逆变器、同步整流和DC-DC转换器。

特性

  • 双面冷却封装
  • 低寄生电感
  • 薄型设计
  • 大电流承受能力
  • 100%无铅(无RoHS豁免)
  • 实现高功率密度设计
  • 高效率
  • 最大程度地减少EMI
  • 优化的散热
  • 节省电路板空间
  • 较少器件并联

应用

  • 微型太阳能逆变器
  • 同步整流
  • DC-DC转换器
  • 光伏优化器
  • 无绳电动工具
  • 电机控制

DirectFET™封装

Infineon Technologies IRF150DM115 OptiMOS™ 5 150V MOSFET
发布日期: 2024-07-11 | 更新日期: 2024-09-04