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Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V-100V车用MOSFET

英飞凌OptiMOS ™ 5 75V至100V车用MOSFET专为高性能应用而设计，可满足比AEC-Q101标准更高的要求。  这款N沟道增强模式器件将稳健的设计与先进的技术相结合，在单个封装中集成了线性FET (LINFET) 和低RDS(on) FET (ONFET) 的特性。这种双栅极配置为每个MOSFET提供了专用栅极引脚，提高了电路设计的灵活性和控制能力。线性FET拥有改进的安全工作区 (SOA) 和卓越的并行能力，可确保在各种条件下实现可靠的线性工作。英飞凌OptiMOS ™ 5 75V至100V MOSFET可在-55°C至+175°C宽温度范围内工作，采用PG-HSOF-8-2封装。  

特性

  • 适合汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
  • 可满足比AEC-Q101标准更高的要求
  • N沟道、增强模式、常规电平
  • 增强电气测试
  • 设计坚固耐用
  • 在单个封装中集成线性FET (LINFET) 和低RDS(on) FET (ONFET)
  • 两个MOSFET均有专用栅极引脚（双栅极）
  • 线性FET具有增强的SOA和并行特性，有利于线性工作
  • 最高工作温度：+175°C
  • 符合RoHS标准
  • 100% 经雪崩测试
  • 潮湿敏感度 (MSL) 1级，峰值回流焊温度高达+260°C

应用

  • 配电和电池管理（电子保险丝和隔离开关）
  • 浪涌电流限制（电容器充电、电机浪涌电流）
  • 慢速开关，以尽量减少电压瞬变和EMI（电催化剂加热器）
  • 漏极-源极电压箝位（电感能量消耗、过压保护）

规范

  • 最大漏极-源极电压：80V
  • 最大漏极-源极导通电阻：1.15mΩ
  • 最大漏极电流：410A
  • 单脉冲雪崩
    • 最大能量：820mJ
    • 最大电流：300 A
  • 最大栅极-源极电压：±20
  • 最大功率耗散：375W
  • 工作温度范围：-55 °C至+175 °C
  • 热阻
    • 接合点和外壳之间：0.40K/W（最大值）
    • 典型结至环境：14.8K/W
  • PG-HSOF-8-2 封装

应用电路

应用电路图 - Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V-100V车用MOSFET
发布日期: 2024-11-05 | 更新日期: 2024-11-12