Infineon Technologies OptiMOS™双通道超冷功率MOSFET

英飞凌科技OptiMOS™双通道超冷功率MOSFET是N通道功率晶体管，采用SuperSO8封装，具有双冷却功能，可提高散热性能。英飞凌OptiMOS功率MOSFET设计用于提高效率、功率密度和成本效益。这些器件具有低导通电阻 (R_{DS (on)}) 和低反向恢复电荷 (Q_rr)，可提高功率密度，同时提高稳健性和系统可靠性。+175°C额定电压有助于设计在较高工作结温下功率更大，或者在相同工作结温下使用寿命更长。

特性

双面冷却封装，结顶部热阻最低
快速开关MOSFET，用于SMPS
同步整流的最佳技术
低导通电阻R_{DS (on)}
低反向恢复电荷
100%经雪崩测试
工作温度范围：-55.0 °C至+175.0 °C

适合标准SuperSO8占位
OptiMOS 5技术
无铅电镀，符合RoHS指令
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
由于源互连范围扩大，因此焊点可靠性更高

应用

开关模式电源
感应式无线充电
负载开关

服务器电源整流
电池管理系统
LV驱动器

包装外形

机械图纸 - Infineon Technologies OptiMOS™双通道超冷功率MOSFET

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物料编号	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	Qg-栅极电荷	Pd-功率耗散	上升时间	下降时间
BSC072N04LDATMA1	40 V	7.2 mOhms	52 nC	65 W	4 ns	25 ns
BSC155N06NDATMA1	60 V	15.5 mOhms	29 nC	50 W	2 ns	9 ns
BSC076N04NDATMA1	40 V	7.6 mOhms	38 nC	65 W	4 ns	7 ns
BSC112N06LDATMA1	60 V	11.2 mOhms	55 nC	65 W	3 ns	7 ns