Infineon Technologies TLE493D-P2B6低功率3D霍尔传感器
英飞凌科技TLE493D-P2B6低功耗3D霍尔传感器具有更高精度。这些器件非常适合用于涉及定价和封装尺寸的高性能应用。TLE493D-P2B6采用小型封装，具有极低静态电流和唤醒功能。另外，该传感器还提供符合客户要求（例如数据通信、测量定义等）的配置选项。安全手册支持功能安全应用。
该传感器的可配置性用于应用平台，以满足最终客户的愿望。英飞凌科技TLE493D-P2B6有4种不同型号可供选择，端接A0、A1、A2或A3。基本特性是该器件的所谓总线模式配置。可以连接多达四个传感器到一条I2C总线。然后通过四种不同版本进行具体寻址。
特性
- 3D (X, Y, Z) 磁通密度感测：±160mT
- 可编程通量分辨率：低至65µT（典型值）
- X-Y角度测量模式
- 进行诊断测量，以检查传感器的数字部件、模拟部件和霍尔探头
- 唤醒功能和掉电模式的功耗为7nA（典型值）
- 每个测量方向均为12位数据分辨率加10位温度传感器
- 可变更新频率和功率模式（运行期间可配置）
- 温度范围TJ = -40°C至+125°C，电源电压范围 = 2.8V至3.5V
- 可以通过I2C协议由µC出发
- 中断信号，指示发往微控制器的有效测量值
- 得益于3D磁性测量原理，减少了元件数量
- 具有高灵活性，应用范围宽，可寻址
- 由于器件可配置性实现平台适应性
- 使用集成诊断支持功能安全
- 由于唤醒模式，系统功耗极低，从而延长了电池运行时间
- 与高度磁通量测量范围相比，对较小杂散场的干扰被忽略
应用
- 变速杆位置
- 顶柱模块和多功能方向盘中的控制元件
- 多功能旋钮
- 踏板/阀位置传感
框图
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发布日期: 2022-07-06
| 更新日期: 2022-09-12