IXYS

IXYS Corporation 是全球电源管理半导体供应商,拥有范围广泛的功率MOSFET、IGBT、双极和混合信号IC解决方案,可在范围广泛的电源系统应用中提高效率并降低能量成本。
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IXYS IX3407B隔离式单通道栅极驱动器在单独的输出引脚上提供典型的7A峰值源和灌电流输出电流。2025/6/30 -
IXYS Dx系列汽车用硅整流器采用玻璃钝化结,确保稳定工作和高可靠性。2025/4/14 -
IXYS DCK SiC SCHOTTKY 二极管具有高频工作和高浪涌电流能力。2025/4/3 -
IXYS IXD0579M栅极驱动器100V高频高侧和低侧栅极驱动器,集成有自举二极管。2025/4/3 -
IXYS MCMA140PD1800TB晶闸管二极管模块140A二极管模块,集成了平面钝化芯片,具有长期稳定性。2025/3/25 -
IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET,具有N沟道增强模式。2025/3/17 -
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET单开关MOSFET,设有1200V、80mΩ 、41A工业级器件,采用TO263-7L封装。2025/3/6 -
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET单开关MOSFET,设有1200V、30mΩ 、79A工业级器件,采用TO263-7L封装。2025/3/6 -
IXYS IXFH46N65X2W功率MOSFET650V、69mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET,具有N沟道增强模式。2025/2/27 -
IXYS IXFH34N65X2W功率MOSFET650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET,具有N沟道增强模式。2025/2/27 -
IXYS IXD2012N栅极驱动器在自举操作中,高侧和低侧高速栅极驱动器开关高达200V。2025/2/18 -
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET1200V、80mΩ和41A MOSFET,建议用于工业开关模式电源。2025/2/18 -
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET1200V、30mΩ和79A MOSFET,建议用于工业开关模式电源。2025/2/18 -
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET提供200V额定电压、340A至500A电流范围,采用SOT-227B封装。2024/11/28 -
IXYS DPF100C1200HB 1200V、2x 50A快速恢复二极管两个通用电源开关二极管,采用共阴极配置和TO-247封装。2024/11/22 -
IXYS Gen5 XPT IGBT具有650V额定电压、35A至220A电流范围以及低栅极电荷。2024/7/25 -
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3相桥式整流器该器件通常用作开关模式电源(SMPS)中的整流器。2024/7/22 -
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A快速恢复二极管高性能、低损耗、软恢复单二极管,采用TO-268AA(D3PAK-HV)封装。2024/7/8 -
IXYS IX4341/IX4342 MOSFET栅极驱动器具有两个独立的驱动器,非常适合用于SMPS、电机控制器和电源逆变器。2024/5/31 -
IXYS IX4352NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器设计用于驱动SiC MOSFET和大功率IGBT,具有独立的9A拉、灌电流输出。2024/3/21 -
IXYS SRU6008DS2RP敏感型SCR600V高正向阻断SCR,非常适合用于高压电容放电应用。2024/2/19 -
IXYS MPA 95-06DA FRED模块采用平面钝化芯片,开关损耗低,适用于高频开关器件。2024/1/18 -
IXYS MCMA140P1600TA-NI晶闸管模块采用平面钝化芯片和直接铜键AI2O3材质,适用于线路频率应用。2024/1/18 -
IXYS DMA80I1600HA单二极管整流器采用平面钝化芯片,具有低漏电流和低正向压降。2022/8/11 -
IXYS STP802U2SRP 1.5A敏感型双通道高静态dv/dt,关断时间 (tq) 短,导通电流为1.5ARMS。2022/8/10 -
