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IXYS IXFH60N65X2-4和IXFH80N65X2-4 X2级MOSFET

IXYS IXFH60N65X2-4和IXFH80N65X2-4 X2级分立式MOSFET具有低漏极-源极电阻（38mΩ或52mΩ）和低栅极电荷，采用耐雪崩国际标准封装。IXYS IXFH60N65X2-4和IXFH80N65X2-4 X2级分立式MOSFET还具有低封装电感和650V漏极-源极击穿电压。典型应用包括开关模式和谐振模式电源、直流-直流转换器等等。

特性

  • 国际标准封装
  • 低漏源电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (QG)
  • 耐雪崩
  • 低电感封装

应用

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 功率因数校正 (PFC) 电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人和伺服控制

规范

  • 漏极-源极击穿电压：650V
  • 漏极-源极电阻 (RDS(ON))
    • 38mΩ (IXFH80N65X2-4)
    • 52mΩ (IXFH60N65X2-4)
  • 连续漏极电流
    • 60A (IXFH60N65X2-4)
    • 80A (IXFH80N65X2-4)

数据手册

示意图

原理图 - IXYS IXFH60N65X2-4和IXFH80N65X2-4 X2级MOSFET

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发布日期: 2022-01-13 | 更新日期: 2022-03-11