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IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET

IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET具有高达1200V的阻断电压，以及18mΩ或36mΩ低RDS(on) 。这些IXYS SiC功率MOSFET提供79nC (IXSJ43N120R1K) 或155nC (IXS80N120R1K) 的低栅极电荷以及2453pF (IXSJ43N120R1K) 或 4556pF (IXSJ80N120R1K) 的低输入电容。IXSJxN120R1K提供15V至18V灵活栅极电压范围，建议关断栅极电压为0V。应用包括电动汽车 (EV) 充电基础设施、太阳能逆变器、开关电源、不间断电源、电机驱动器等。

特性

  • 高达1200V的阻断电压，具有18mΩ或36mΩ低RDS(on)
  • 低栅极电荷
    • 79nC (IXSJ43N120R1K)
    • 155nC (IXS80N120R1K)
  • 15V至18V灵活栅极电压范围
  • 低输入电容
    • 2453pF (IXSJ43N120R1K)
    • 4556 pF (IXSJ80N120R1K)
  • 建议关断栅极电压为0V

应用

  • 电动汽车 (EV) 充电基础设施
  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源
  • 不间断电源
  • 电机驱动器
  • DC/DC转换器
  • 电池充电器
  • 感应加热
  • 高频应用

规范

  • 虚拟结温范围：-40°C至+150°C
  • 漏极电流
    • 46 A (IXSJ43N120R1K)
    • 80A (IXSJ80N120R1K)
  • RDS(on) 典型值
    • 18mΩ (IXSJ80N120R1K)
    • 36mΩ (IXSJ43N120R1K)

数据手册

引脚分配图 (ISO247-4L)

机械图纸 - IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET

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发布日期: 2025-08-06 | 更新日期: 2025-08-27