IXYS IXTQ34N65X2M和IXTQ48N65X2M X2级功率MOSFET
IXTQ34N65X2M和IXTQ48N65X2M X2级功率MOSFET具有650V漏源击穿电压和34A或48A连续漏极电流。IXTQ34N65X2M和IXTQ48N65X2M X2级功率MOSFET是N通道增强模式的耐雪崩器件，工作温度范围为-55°C至+150°C。典型应用包括开关模式和谐振模式电源、直流-直流转换器、激光驱动器等等。
特性
- 塑料包覆成型蝶片，用于电气隔离
- 耐雪崩
- 快速本征二极管
- 2500V电气隔离
- 低电感封装
应用
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- 激光驱动器
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人和伺服控制
规范
- 漏极-源极击穿电压：650V
- 连续漏极电流
- 34A (IXTQ34N65X2M)
- 48A (IXTQ48N65X2M)
- 漏极-源极导通电阻 (RDS(on))
- ≤ 96mΩ (IXTQ34N65X2M)
- ≤ 65mΩ (IXTQ48N65X2M)
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
数据手册
发布日期: 2021-04-21
| 更新日期: 2022-03-11