IXYS XPT™ GenX5™沟槽式IGBT
IXYS XPT™ GenX5™沟槽式IGBT采用专有的XPT薄景园技术和先进的第5代 (GenX5) 沟槽式IGBT工艺研发而成。这些器件具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。 XPT GenX5沟槽式IGBT具有方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)，击穿电压高达650V，因此非常适合用于无缓冲硬开关应用。这些IGBT还包括一个正集电极-发射极电压温度系数，使设计人员能够并联使用多个器件，满足大电流要求。这些器件的栅极电荷低，有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。
IXYS XPT GenX5沟槽式IGBT采用TO-220-3 (IXYP60N65A5) 和 TO-247-3（IXYH90N65A5和IXYH120N65A5）封装，具有-55°C至+175°C宽结温范围。
特性
- 低VCE(sat)、低Eon/Eoff
- 优化用于低频大电流开关
- 较高的浪涌电流承受能力
- 方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)
- 正热系数VCE(sat)
- 低栅极驱动要求
- 国际标准封装
应用
- 功率逆变器
- UPS
- 电机驱动器
- SMPS
- PFC电路
- 电池充电器
- 电焊机
- 灯具镇流器
规范
- 集电极-发射极电压 (VCES)：650V
- 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat))： 1.35V
- 集电极电流（25°C时）(IC25)
- IXYP60N65A5: 134A
- IXYH90N65A5: 220A
- IXYH120N65A5: 290A
- 集电极电流（110°C时）(IC110)
- IXYP60N65A5: 60A
- IXYH90N65A5: 90A
- IXYH120N65A5: 120A
- 电流下降时间 (Tfi(typ))
- IXYP60N65A5: 110ns
- IXYH90N65A5: 160ns
- IXYH120N65A5: 160ns
- 结温范围 (TJ)：-55°C至+175°C
- 封装
- IXYP60N65A5: TO-220-3
- IXYH90N65A5: TO-247-3
- IXYH120N65A5: TO-247-3
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引脚分配
TO-220-3封装外形
TO-247-3封装外形
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| 物料编号 | 数据表 | 集电极—射极饱和电压 | 在25 C的连续集电极电流 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|
| IXYH90N65A5 |  |
1.35 V | 220 A | 650 W |
| IXYP60N65A5 | |
1.35 V | 134 A | 395 W |
| IXYH120N65A5 | |
1.35 V | 290 A | 830 W |
发布日期: 2021-09-09
| 更新日期: 2022-03-11