Microchip Technology 1200V sic mosfet
Microchip Technology 1200V SIC MOSFET解决方案更轻、更紧凑，且具有高效率。这些器件的内部栅极电阻（ESR）较低，因此具有快速切换速度。MOSFET驱动简单，易于并联，具有更好的热性能和更低的开关损耗。
Microchip 1200V SIC MOSFET不需要外部自由轮换二极管，并且可在快速可靠的主体二极管中提供卓越的雪崩耐受性。
特性
- 低电容和低栅极充电
- 由于内部栅极电阻（ESR）低，因此切换速度快
- 高结温TJ(max)= 175°C时能稳定运行
- 快速、可靠的体二极管
- 优越的雪崩耐受性（100% UIS生产测试通过）
- 爬电距离（典型值>8mm）
应用
- 光伏（PV）逆变器、转换器和工业电机驱动器
- 智能电网输配电
- 感应加热和焊接
- 混合动力电动汽车（HEV）动力系统和电动汽车（EV）充电器
- 电源和配电
典型应用
发布日期: 2025-09-19
| 更新日期: 2025-09-29