Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET是一款车规级P沟道增强模式FET，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD 塑料封装，并使用了沟槽MOSFET技术。这款MOSFET具有逻辑电平兼容性，带有可湿性侧翼，便于进行光学焊料检测。BUK6Q26-40PJ MOSFET在正常工作期间以负模式运行，其漏极-源极电压 (VDS)。这款MOSFET采用热效率高的封装，小尺寸（占位面积为3.3mm x 3.3mm）。BUK6Q26-40PJ MOSFET符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。这款MOSFET非常适合反转极性保护、高速线路驱动器、高侧负载开关和继电器驱动器。
特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽MOSFET技术
- 用于光学焊料检测的可湿性侧翼
- 漏-源电压 (VDS)：-40V（25°C ≤ Tj ≤ 175°C时）
- 源极电流 (Is) ：-34A（Tmb= 25°C时）
- 工作结温范围：-55°C至175°C
- 典型总耗散功率：56W（Tmb = 25°C时）
- 小尺寸（占位面积为3.3mm x 3.3mm）的热效率高的封装
- 符合AEC-Q101标准
应用
- 反转极性保护
- 高速线路驱动器
- 高侧负载开关
- 继电器驱动器
尺寸
P沟道MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。
发布日期: 2025-07-24
| 更新日期: 2025-08-19