Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET 是一款搭载Trench MOSFET技术的60V车规级P沟道增强模式FET，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。该MOSFET与逻辑电平兼容，设有侧面可湿性侧翼，便于进行光学焊接检测。BUK6Q66-60PJ MOSFET在正常工作期间运用漏极-源极电压 (VDS) 以负模式运行。该MOSFET采用小尺寸高效散热封装（3.3mm x 3.3mm占位面积）。BUK6Q66-60PJ MOSFET通过AEC-Q101认证，适用于汽车应用。该MOSFET非常适合用于反向极性保护、高速线路驱动器、高侧负载开关和继电器驱动器。
特性
- 兼容逻辑电平
- 沟槽MOSFET技术
- 侧部可湿性侧翼，便于进行光学焊接检测
- 漏极-源极电压 (VDS)：-60V（25°C ≤ Tj ≤ 175°C时）
- 工作结温范围：-55 °C至175 °C
- Tmb= 25°C时的典型总耗散功率：56W
- 小尺寸（占位面积为3.3mm x 3.3mm）的热效率高的封装
- 符合AEC-Q101标准
应用
- 反转极性保护
- 高速线路驱动器
- 高侧负载开关
- 继电器驱动器
尺寸
P沟道MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
发布日期: 2025-07-24
| 更新日期: 2025-08-27