Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET 30V采用沟槽MOSFET技术，在MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中采用30V、P沟道增强模式FET。该MOSFET具有逻辑电平兼容性，侧面可湿润，便于进行光学焊料检测。BUK6Q8R2-30PJ MOSFET采用热效率高的封装，小尺寸（占位面积为3.3mmx3.3mm）。该MOSFET通过AEC-Q101认证，适用于汽车应用。BUK6Q8R2-30PJ MOSFET非常适合反转极性保护、高速线路驱动器、高侧负载开关和继电器驱动器。
特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽MOSFET技术
- 用于光学焊料检测的可湿性侧翼
- 在25°C ≤ Tj ≤ 175°C时，漏极-源极电压 (VDS) 为-30V
- Tmb= 25°C时的典型总耗散功率：94W
- 工作结温范围：-55°C至175°C
- 小尺寸（占位面积为3.3mm x 3.3mm）的热效率高的封装
- 符合AEC-Q101标准
应用
- 反转极性保护
- 高速线路驱动器
- 高侧负载开关
- 继电器驱动器
尺寸
P沟道MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。
发布日期: 2025-07-30
| 更新日期: 2025-08-27