Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET采用沟槽14低阻值分离栅极技术为构建基础。该款MOSFET具有高性能及经久耐用的特点，采用 LFPAK56E封装。BUK7J2R4-80M MOSFET的最大漏源电压为80V、最大漏极电流为231 A、最大总功耗为294 W、最大总栅极电荷为127nC。该款MOSFET广泛应用于超高性能电源开关、电磁阀控制以及12V、24V和48V汽车系统。
特性
- 沟槽14分离栅极技术：
- 单元间距的减小带来了功率密度和效率的提升，在占位面积相同的条件下具有更低的RDSon
- 快速高效开关，具有最佳阻尼和低尖峰
- LFPAK翼型引线
- 板级可靠性极高，可在热循环期间吸收机械应力
- 可视AOI焊接检查，无需昂贵的X射线设备
- 便于焊料润湿，避免不良机械焊点
- LFPAK铜夹技术：
- 提高了可靠性，降低了Rth 、RDSon 及封装电感
- 提高最大电流能力并改善电流分布
- 符合 AEC-Q101
规范
- 最大漏-源电压：80V（25°C ≤ Tj ≤ 175°）
- 最大漏极电流：231A（VGS= 10V、Tmb= 25°C）
- 最大总功耗（Tmb= 25°C）：294W
- -55 °C至175 °C结温范围
应用
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 电机、照明和电磁阀控制
- 超高性能电源开关
包装外形
发布日期: 2024-08-21
| 更新日期: 2024-08-30