Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET

Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET(SOT8002-3D)使用沟槽9技术。该器件符合AEC-Q101标准,在175°C下工作,占位面积小,适用于紧凑型设计。Nexperia BUK7Q的侧部可湿润,可提供牢固的焊料接头和自动光学检测。

特性

  • MLPAK33-MF封装 (SOT8002-3D)
  • 沟槽9技术
  • 占位面积:3 mm x 3 mm
  • 通过了AEC-Q101标准在175°C条件下的测试
  • 侧面可润湿侧翼提供稳固的焊接头并适合自动化光学检测

应用

  • 电机驱动
  • 电池保护
  • 直流-直流转换

规范

  • 漏极-源极击穿电压:40V Vds
  • 栅极-源极电压:20V Vgs
  • SMD/SMT
  • MLPAK33-8 的产品评估板
  • 8引脚数
  • 温度范围:-55 °C至+175 °C
  • 单 N 沟道

引脚布局

图表 - Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
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物料编号 数据表 Id-连续漏极电流 Pd-功率耗散 Qg-栅极电荷 Rds On-漏源导通电阻 典型关闭延迟时间 典型接通延迟时间
BUK7Q4R9-40HJ BUK7Q4R9-40HJ 数据表 70 A 84 W 29 nC 4.9 mOhms 23 ns 7 ns
BUK7Q6R0-40HJ BUK7Q6R0-40HJ 数据表 73 A 65 W 22 nC 6 mOhms 17 ns 6 ns
BUK7Q7R5-40HJ BUK7Q7R5-40HJ 数据表 55 A 53 W 17 nC 7.5 mOhms 14 ns 5 ns
BUK7Q8R4-40HJ BUK7Q8R4-40HJ 数据表 57 A 51 W 16 nC 8.4 mOhms 13 ns 4.7 ns
BUK7Q9R5-40HJ BUK7Q9R5-40HJ 数据表 51 A 47 W 14 nC 9.5 mOhms 12 ns 4.1 ns
发布日期: 2025-09-15 | 更新日期: 2026-01-30